铠侠第九代BiCS FLASH 512Gb TLC开始送样

健康生活 2025年07月27日 15:54 1 admin

该产品预计2025财年启动量产。

铠侠宣布，已开始出货采用第九代BiCS FLASH™ 3D闪存技术的512Gb TLC样品，计划于2025财年（2025年4月-2026年3月）启动量产。该产品旨在支持需要高性能和卓越能效的中低端存储容量应用，并将整合至铠侠企业级SSD中，特别是针对人工智能系统GPU效率优化的解决方案。

全新第九代 BiCS FLASH™ 512Gb TLC 采用基于第五代 BiCS FLASH™ 技术和先进CMOS工艺的 120 层堆叠工艺开发而成，与铠侠现有的512Gb BiCS FLASH™ 产品相比，性能有显著提升：

写入性能：提升61%
读取性能：提升12%
能效表现：写入操作提升36%，读取操作提升27%
传输速率：支持Toggle DDR6.0接口，NAND接口速率达3.6Gb/s
存储密度：通过平面微缩技术提升8%

此外，铠侠已通过实验验证该512Gb TLC在演示环境下可实现4.8Gb/s的NAND接口速率。产品具体规格将根据市场需求确定。此次推出的第九代BiCS FLASH™技术，可选配112层第五代或218层第八代技术，以满足不同型号需求。同时，第六代BiCS FLASH™也将继续用于512Gb TLC产品。

铠侠持续推行双轨战略，以满足尖端应用的多样化需求，同时提供具有竞争力的产品，实现最佳的投资效率。这两个轴心是：

• 第九代BiCS FLASH™产品：通过CBA（CMOS 直接键合到阵列)技术，以较低的生产成本实现高性能，集成现有的存储单元技术，采用最新的CMOS技术。

• 第十代BiCS FLASH™产品：通过增加存储堆叠层数，满足未来大容量、高性能解决方案需求。

铠侠推出全球最高容量245TB SSD

7月22日，铠侠宣布推出LC9系列固态硬盘，具有史无前例245.76TB存储容量的固态硬盘，成为目前最大容量的存储设备。这款SSD专为需要极高存储密度的应用场景设计，例如人工智能训练和超大规模数据中心工作负载。

铠侠LC9 SSD采用自主开发的NVMe 2.0控制器（具体型号未披露），配备PCIe 5.0 x4接口（支持双端口功能）以及铠侠自家的BiCS8 2Tb 3D QLC NAND存储单元。为在E3.L规格下实现245.76TB的容量，铠侠创新性地将32个存储单元集成至单颗芯片（实现8TB存储空间），再将这些芯片与控制器相连。铠侠表示，该封装技术不仅创下存储密度新纪录，更运用了铠侠独有的晶圆加工与组装工艺。

在性能表现方面，该硬盘可实现最高12GB/s的顺序读取速度和3GB/s的写入速度。在随机读写性能方面，该固态硬盘可实现最高130万次读取IOPS和5万次写入IOPS。在耐用性方面，铠侠L9系列硬盘的标称指标为每日0.3次全盘写入。在安全性能方面，该硬盘配备符合CNSA 2.0标准的加密与固件签名验证功能，支持包括AES-256加密及后量子密码学算法在内的多重加密模式。

另外，该产品集成多项提升可靠性与数据保护的功能：包括芯片级数据恢复、基于奇偶校验的错误管理机制以及断电保护设计。同时支持Flexible Data Placement技术，可有效降低内部写入放大效应，特别针对数据库应用场景显著延长使用寿命。

铠侠计划提供多种规格的L9系列硬盘：包括最高122.88TB容量的2.5英寸U.2规格、E3.S规格，以及最高245.76TB容量的E3.L规格。目前LC9系列已开始向选定合作伙伴提供样品。

*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，请联系后台。

想要获取半导体产业的前沿洞见、技术速递、趋势解析，关注我们！