英睿达T710 2TB SSD评测：新一代性能旗舰 14.5G/s仅有57度

游戏天地 2025年08月18日 22:04 1 admin

一、前言：英睿达一代王者T705的接班人

去年年初PCIe 5.0 SSD还是少见的顶级装备，市场上的产品普遍做到12GB/s的速度轻松碾压PCIe 4.0 SSD的时候，英睿达推出了旗舰级SSD：T705，以惊人的最高14500MB/s，几乎吃满了PCIe 5.0的理论带宽，成为一代性能王者稳居王座。

到了2025年，广受期待的慧荣SM2508主控终于开始大规模应用，随之而来大量突破14GB/s的产品随之出现，英睿达T705的王座也在不断的受到挑战，新一代的英睿达T710也搭载了最强的PCIe 5.0 SSD主控慧荣SM2508登场，它能接替T705坐稳性能王座吗？

我们收到的英睿达T710 SSD的容量为2TB，使用了美光原厂G9 TLC NAND颗粒，两颗就组成了2TB的容量，单面设计更有利于散热。

2TB版本的T710 SSD还搭载了2GB的独立高速缓存，读写性能更加出色。

相比上一代英睿达T705为了达到极限性能，对群联PS5026-E26主控进行了超频，用额外的功耗和发热作为代价，换来了14500MB/s的性能。这一代的英睿达T710 SSD就不再需要这么麻烦，T710的经典功耗从T705的11.25W降低到了8.25W，节能26.6%的同时发热表现也会更好。

英睿达T710的详细参数如下：

英睿达T710比较特别的是1TB版本拥有最强的14900MB/s的顺序读取速度，但我们这次收到的是2TB的版本，没有机会见到这个几乎“圆满”的速度了，略有遗憾。

二、外观图赏：无散热片设计简单明了

英睿达T710 2TB SSD包装采用了深色设计，正面印有SSD本体的图案，T710型号下方印有PCIe Gen5 NVMe标准和2280 M.2规格。

包装背面用多种语言介绍了T710 SSD的主要特性。

我们拿到的是2TB的版本，标称最高顺序读取速度高达14500MB/s。

英睿达T710 2TB SSD本体，标准2280规格，原装没有配备散热片，只有一张导热贴纸覆盖主要元件。

英睿达T710 2TB SSD采用单面设计，背面十分干净，覆盖了印有主要规格型号和认证信息的两张贴纸。

揭下导热贴纸，可以看到金属屏蔽罩覆盖的慧荣SM2501主控，这是当前性能最强的PCIe 5.0 SSD主控，采用6nm工艺打造，在提供基本吃满PCIe 5.0 x4带宽的高性能的同时，功耗和发热也控制极佳。

英睿达T710 2TB SSD使用了一颗2GB容量的高速缓存。

两枚来自美光原厂的G9 NAND芯片，采用TLC结构，两枚即可组成2TB的容量。

三、性能测试：顺序读取最高14445MB/s

考虑到不同的平台的测试结果会有细微的差别，所以我们准备了Intel和AMD两个测试平台，对英睿达T710 2TB SSD进行性能测试，测试平台配置如下：

1、CrystalDiskMark

在CrystalDiskMark测试中，Intel测试平台的1GB测试数据下，顺序读写速度分别14275MB/s和13027MB/s，4K随机读写读写速度为99.75MB/s和386.83MB/s，64GB测试数据的结果相差不大。

而在AMD平台进行测试，无论是顺序读写还是4K随机，读取速度都有所提高但写入速度略有下降。AMD平台测试顺序读写速度分别是14445 MB/s和12990 MB/s，4K随机读写速度为100.81 MB/s和355.67 MB/s。

2、AS SSD Benchmark

AS SSD Benchmark测试工具已经非常老了，已经无法适应现在NVME协议的高性能SSD，所以成绩仅供参考。

AS SSD Benchmark在Intel平台下的测试成绩，顺序读写速度为8704MB/s和9753MB/s,4K读写为117.57MB/s和316.63MB/s。

在AMD平台下，顺序读写成绩更高一些，速度为95953MB/s和105053MB/s，4K读写速度略有下降，为110.213MB/s和271.633MB/s。

3、ATTO磁盘基准测试

在Intel平台下，ATTO磁盘基准测试在 0.5K小文件的读写可以达到62MB/s和80MB/s，从8K开始读写速度超过1GB/s，从128K开始基本达到最大速度，读取超过13GB/s，写入超过12GB/s。

在AMD平台下测试结果相差不大，0.5K小文件读写分别是55MB/s和66MB/s，128K之后性能达到最大，读取性能更高一些超过13 GB/s，写入性能超过12 GB/s。

4、3Dmark存储基准测试

在Intel平台上，3Dmark存储基准测试得分为4690，远超平均成绩，平均带宽为797.44MB/s，移动游戏速度高达5141.52MB/s。

在AMD平台下，3Dmark存储基准测试成绩略低，为3776，但依然大幅超过平均成绩，平均带宽为639.34MB/s移动游戏速度可达到4217.16MB/s。

5、PCMark10完整系统盘基准测试

在Intel平台下，PCMark10完整系统盘基准测试成绩为5220，平均带宽为805.8MB/s，平均存储时间为31μs。

在AMD平台下，PCMark10完整系统盘基准测试成绩为4240，平均带宽为651.63MB/s，平均存储时间为38μs。

四、温度表现：被动散热片就够用温度最高仅57

英睿达T710 2TB SSD并没有标配散热片，我们就直接使用了主板自带的SSD被动散热片辅助散热，并在运行CrystalDiskMark 64GB测试时，记录连续高强度读写操作时的温度。

可以看到在室温28度，仅依靠被动散热，英睿达T710 2TB SSD在持续读写时的最高温度也只有57度，慧荣SM2508主控和美光G9 TLC NAND的发热控制非常优秀。

我们用热成像仪测量了持续读写时SSD散热片表面的温度，可以看到PCIe 5.0 x4的插槽位置在显卡和CPU之间，本身就是机箱内比较容易积蓄热量的位置，散热片表面温度只有不到47度，依靠被动散热片就可以满足SSD的散热需求。

五、总结：英睿达新一代性能王者

虽然很遗憾没能见识到英睿达T710 SSD 1TB版高达14900MB/s的惊人速度，但2TB版的T710依旧展现了顶级的性能，T705的性能王座，T710接住了。

英睿达T710 SSD在Intel和AMD平台上的表现略有差异，细微的差别更多是平台不同导致的，T710不论在Intel或AMD平台上都有旗舰级的性能表现，用户无需担心兼容性问题。

在我们的实际测试中，2TB版本的英睿达T710 SSD顺序读取性能在Intel平台上可以达到14275MB/s，AMD平台上表现更好，可以达到14445MB/s，更接近标称的14500MB/s，但是AMD平台的顺序写入性能反而比Intel平台略弱一些。

但对于一个超过14GB/s速度的顶级PCIe 5.0 SSD来说，这一点性能差距在实际使用中几乎完全无法感觉到，实际体验就一个字：快。

相比当初英睿达T705需要对主控进行超频才能达到14.5GB/s的极致性能，这次英睿达T710达到这个极致性能就简单多了，6nm工艺打造的慧荣SM2508主控，不但性能极强，配合TLC架构的美光G9 NAND颗粒，功耗也大幅降低了四分之一，发热控制更加出色。

配合简单的主板自带的被动散热片，英睿达T710 SSD在连续工作时的温度只有57度，不用担心机箱内热量堆积，运行更加稳定。

当然现在SSD也不仅仅使用在电脑中，英睿达也同样为PS5玩家准备了带散热片版本的T710 SSD，方便玩家给PS5进行扩容。

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