武汉脉冲芯电子申请基于RBDT的低损耗双向导电交直流断路器及其控制方法专利，减小断路器的成本和体积

抖音推荐 2025年08月05日 13:17 2 admin

金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，武汉脉冲芯电子科技有限公司申请一项名为“基于RBDT的低损耗双向导电交直流断路器及其控制方法”的专利，公开号CN120415404A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请属于半导体技术领域，具体公开基于RBDT的低损耗双向导电交直流断路器及其控制方法。本申请将RBDT堆体作为半导体支路，RBDT为二端器件，具有自均压能力，能够在无均压措施下实现多芯片的串联，减小断路器的成本和体积，有利于采用低压器件串联满足交直流系统中高压的需求。堆体中的每个RBDT器件能够主动均分系统电压，提高断路器运行的稳定性，串联的多只RBDT形成高阻断电压，减小器件和断路器的导通损耗；将RBDT堆体与桥式二极管堆体相结合，桥式二极管堆体将负载双向电流进行变换，使得经过RBDT堆体的电流始终是单向，从而实现整个断路器的双向导电能力；RBDT串联无需要考虑导通一致性问题，能够很好地解决高压交直流系统中多只器件串联所带来的弊端。

天眼查资料显示，武汉脉冲芯电子科技有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉脉冲芯电子科技有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息15条，此外企业还拥有行政许可1个。

本文源自金融界