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2025-08-07 0
华虹半导体取得超结沟槽栅MOSFET结构及其形成方法专利
健康生活
2025年08月01日 18:20 1
admin
金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司取得一项名为“超结沟槽栅MOSFET结构及其形成方法”的专利，授权公告号CN114361240B，申请日期为2022年01月。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2934次，专利信息1727条，此外企业还拥有行政许可117个。
本文源自金融界
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