中国EUV光刻胶突破背后：EUV光刻机卡脖子问题仍待解

游戏天地 2025年07月27日 14:30 1 admin

近日，精华大学化学系许华平教授团队在EUV光刻胶领域取得重要进展的消息引发关注。

据媒体报道，该团队开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶材料，相比现有EUV光刻胶性能更优。这一成果已发表在核心期刊，为中国自主研发EUV光刻胶提供了可行路径，甚至可能推动国产光刻胶从40nm-65nm工艺向7nm及以下先进制程迈进。

这一突破之所以引发关注，与当前全球光刻胶市场的格局密切相关。

目前，全球EUV光刻胶几乎被日本企业垄断，就连更早的ArF光刻胶也主要依赖日本供应。而中国此前能自主生产的主要是KrF光刻胶和部分低端ArF光刻胶，技术水平停留在40nm-65nm阶段。此次新型光刻胶的突破，意味着中国在先进芯片制造材料领域迈出了关键一步，确实值得肯定。

但兴奋之余，我们更需要清醒认识一个现实：EUV光刻胶的突破，只是芯片制造链条中的一环。EUV光刻胶的作用是配合EUV光刻机完成7nm及以下芯片的图形转移，若没有EUV光刻机，再先进的光刻胶对中国实际芯片生产帮助有限。

芯片制造是高度复杂的系统工程，需要数百种设备和材料协同工作，且多数环节无法替代。EUV光刻胶是材料中的关键一环，EUV光刻机则是设备中的核心。

目前全球仅有荷兰ASML公司具备EUV光刻机生产能力，且受出口限制，中国无法直接购买。要实现芯片制造自主可控，必须同时突破光刻机和光刻胶两大瓶颈。

然而，EUV光刻机的研发难度远超想象。从光源系统到物镜组，从双工作台到精密控制，每一项技术都涉及顶尖科技。

有人形容其难度“可能超过原子弹”，因为原子弹是单一技术突破，而EUV光刻机需要整合全球上千家供应商的技术，其中许多是独家供应并签订了排他协议。中国要自主研发EUV光刻机，相当于要重建一条完整的供应链体系，这条路注定漫长且艰难。

回到光刻胶本身，目前国产EUV光刻胶仍处于实验室阶段，距离量产和实际应用还有距离。而EUV光刻机的研发进度可能更滞后。这提醒我们：芯片领域的突破没有捷径，既需要关键环节的突破，更需要系统性能力的构建。

“革命尚未成功，同志仍需努力”这句话，在芯片领域尤为贴切。光刻胶的突破是好的开始，但只有当国产EUV光刻机和光刻胶同时实现自主可控，中国才能真正摆脱“卡脖子”困境。这条路或许漫长，但每一步进展都值得珍惜，每一次突破都应成为继续前进的动力。

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