存储半导体行业分析

抖音热门 2025年02月16日 02:30 3 admin

根据功能性及使用的主要存储芯片类型不同，半导体存储器分为易失性存储芯片（简称RAM）和非易失性存储芯片（简称ROM），RAM的大宗存储为DRAM，就是常说的内存，ROM的大宗存储为NAND Flash ，就是常说的固态硬盘（或U盘）。目前存储芯片市场主要以DRAM 和NAND Flash 为主，其中，DRAM 市场规模最大，占比约为55.9%，NAND Flash 占比约为44.0%。随着AI的大规模普及，受到大模型时代的高算力、大存储的现实需求推动，将GPU及存储需求迅速提升。其中DRAM最新技术为HBM，直接翻译即是高带宽内存，被称为GPU最强辅助，目前该技术被美国严格封锁。NAND还需要数据存储主控芯片，负责调配存储芯片的存储空间与速率，在存储器中与存储芯片搭配使用。（评：核心产品为存储介质和主控芯片、联接芯片）

存储行业市场规模超千亿，是半导体产业的第二大细分市场，占半导体市场份额大约25%左右，其周期性与全球半导体整体周期性走势一致。DRAM的市场增长需求主要来自手机、PC和服务器，更多是随着AI算力的增长而增长；NAND Flash市场需求增长，主要来自于智能手机、平板电脑、固态硬盘等消费电子产品的普及和升级换代，特别是在新能源汽车、物联网等新兴领域。HBM全球供应商主要来自韩国（SK 海力士、三星）和美国（美光），目前国内受制于DRAM和先进封装量产工艺，仍处于积极研发状态，尚无大规模量产产品，HBM生产需同时具备DRAM生产和先进封装工艺的产业化能力。存储芯片行业正以前所未有的速度发展，尽管厂商众多，但市场主要份额仍被三星、SK海力士、美光科技几家巨头占据95%以上份额。（评：投资存储半导体的核心逻辑是国产替代）

综合来看，两家核心的公司未上市。兆易创新和北京君正两家公司行业竞争激烈，核心投资逻辑是大鱼吃小鱼，以及国产化替代，另外可以关注兆易创新的MCU和北京君正的计算芯片是否有爆款产品。当前市值已经挺高了，应该透支了不少长期业绩，适合做概念题材，做长期投资标的风险相对较大。澜起科技和江波龙，竞争态势相对明确，在行业内有较强的竞争力，但是面临行业营收天花板，需要看能否开辟第二增长曲线。总之，存储半导体行业投资难度很大，需要掌握更多的专业知识可能才能理顺逻辑。

产品分类及应用：

按照产品分类，DRAM 主要分为 DDR、LPDDR、GDDR 及新型存储 HBM。

DDR（Double Data Rate）：即双倍速率同步动态随机存取内存，适用于计算机、服务器和其他高性能计算设备等领域，目前应用广泛的是 DDR3、DDR4 和 DDR5。

LPDDR（Low Power Double Data Rate）：即低功耗双倍数据速率内存，适合移动设备和嵌入式系统等需要长时间使用的场景，比如手机、平板电脑，目前应用广泛的是 LPDDR4、LPDDR5。

GDDR（Graphics Double Data Rate）：是在 DDR 的基础上多了 G（Graphics）前缀，专为需要极高吞吐量的数据密集型应用程序设计的高性能存储器，主要应用在显卡领域。

HBM（High Bandwidth Memory）：也属于 DRAM 的一种。HBM 在带宽、功耗、封装体积方面具备明显优势，特别适用于高性能计算、图形处理和数据中心等领域，以满足对内存带宽和容量的高需求。

根据技术类型划分，NAND Flash主要分为如 SLC、MLC、TLC 和 QLC，根据其数据密度、耐久性和成本效益的不同而有所不同。

SLC NAND Flash：是成本最高但也是最耐用的 NAND Flash 存储器类型，通常用于需要高性能和数据完整性的企业级应用，如工业自动化、医疗设备和航空系统。

MLC NAND Flash：每个存储单元存储多个的信息，通常是两个位元。这增加存储密度并降低了与 SLC NAND 相比的成本，适用于消费级 SSD、数码相机和便携式媒体播放器等产品。

TLC NAND Flash：进一步增加存储密度，每个存储单元存储三位信息。TLC NAND 的成本甚至低于 MLC NAND，使其成为消费电子产品和主流 SSD 的有吸引力选择。

QLC NAND Flash：是 NAND Flash 技术的最新进展，提供了最高的存储密度和成本效益。通常用于入门级消费者固态硬盘和大容量存储应用中。

国内参与企业：

长江存储：（未上市）

长江存储专注于3D NAND闪存晶圆及颗粒。晶栈是长江存储核心技术品牌，该项技术推动公司的3D NAND闪存从64层闪存突破到128层，再快速发展到232层水平，并与三星、美光等国际巨头站在了同一起跑线上。2022年10月受美国制裁，其产品目前以128层闪存为主。据说2024年，长江存储已经实现了国产半导体设备的成功替代。最新报道声称，长江存储与韩企的差距也缩小至一年以内。

长鑫存储：（未上市）

长鑫存储专注于DRAM晶圆及颗粒。根据统计，2024年第一季度，长鑫存储在全球DRAM内存市场的份额已达10.1%，位列全球第四位。此外，长鑫存储的两条HBM产线正在建设中，母公司睿力集成计划投资24亿美元在上海建一座高端封装工厂，专注于HBM芯片的封装，预计将于2026年中开始投入生产‌。制程方面，DRAM已经发展到10nm-20nm，美国禁止出口18nm及以下的设备和技术，试图将DRAM制造工艺锁定在18nm，但据报道长鑫存储已经开始批量生产18.5nm工艺的DRAM芯片。长鑫存储的产品线涵盖了LPDDR5、DDR4等主流DRAM产品。最新报道声称，长鑫存储与三星电子在DRAM技术上的差距已缩小至1.5年以下。

兆易创新：

兆易创新主要业务为存储器、微控制器等，公司存储产品主要有NOR Flash、SLC 2D NAND和利基型DRAM，微型控制器产品主要为32位通用MCU产品。国内MCU在家电和消费电子应用领域的竞争十分激烈，在汽车MCU市场，8位和32位是主流，8位具有超低成本和设计简单等优势，主要用于汽车风扇、雨刷天窗等。32位可用的汽车场景包括汽车动力系统、智能座舱、车身控制，32位的车用MCU将成市场需求主流。在工艺制程上，目前公司 MCU 产品覆盖 110nm、55nm、40nm、22nm 工艺制程，在行业处于领先地位。

北京君正：

北京君正的主要业务为计算芯片、存储芯片等，其中计算芯片现有产品采用了MIPS架构，目前正在研发RISC-V架构芯片，存储芯片分为SRAM、DRAM和Flash三大类别，用于专业领域，非大存储类晶圆及颗粒，这部分和兆易创新可能类似。已推出21nm的芯片量产，同时展开了20nm工艺的DRAM产品研发。

澜起科技：

澜起科技的产品内存接口及模组配套芯片、PCIe Retimer芯片等。全球DRAM行业市场90%以上的市场份额由三星电子、海力士及美光科技占据，他们也是公司内存接口芯片及内存模组配套芯片主要的下游客户。在DDR5世代，服务器内存模组上除了需要内存接口芯片之外，同时还需要配置三种配套芯片，包括一颗SPD芯片、一颗PMIC芯片和两颗TS芯片；普通台式机、笔记本电脑的内存模组UDIMM、SODIMM上，需要配置两种配套芯片，包括一颗SPD芯片和一颗PMIC芯片。目前DDR5内存接口芯片的竞争格局与DDR4世代类似，全球有三家主流供应商可提供相关产品，分别是澜起科技、瑞萨电子和Rambus。关于DDR5内存模组配套芯片，SPD和TS主要的两家供应商是澜起科技和瑞萨电子，PMIC的竞争对手更多，竞争态势更复杂。

江波龙：

江波龙主要以存储颗粒为原材料进行存储模组产品的开发，产品包括嵌入式存储、固态硬盘(SSD)、内存条及移动存储(U 盘、存储卡)。为了给核心大客户提供更稳定高效的存储定制化解决方案服务，江波龙协同合作的上游存储晶原厂共同开展从传统合作模式向TCM（Technologies Contract Manufacture, 技术合约制造）合作模式的转型升级。大概是由传统厂商向存储品牌企业转型，以突破传统存储器厂商营收天花板。