华为申请可减少光刻刻蚀次数的半导体器件等相关专利减少光刻刻蚀次数

热门资讯 2025年08月25日 02:53 1 admin

金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体器件、半导体器件封装结构、电子设备”的专利，公开号CN120513022A，申请日期为2024年02月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件、半导体器件封装结构、半导体器件的制备方法，以及电子设备。涉及半导体深槽电容器技术领域。提供一种可以减少光刻刻蚀次数的深槽电容器结构。该半导体器件包括基底和设置在基底内的电容器，基底内开设有多个槽，这些多个槽的槽宽不同，槽宽较大的槽可以作为功能槽，容纳电容器的各个电极和电容介质层，槽宽较小的槽可以容纳部分电极，即就是通过设置宽窄不同的槽，使得不同槽中的电极厚度不一样，那么，经一次光刻刻蚀之后，可以使得窄槽中的电极暴露出来，相比多次光刻刻蚀，本申请可以明显的减少光刻刻蚀次数，尤其是电极层数较多时，简化工艺制备流程的优势更加突出。

天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了52家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1570个。

本文源自金融界