美光HBM 4，伺机反超

热门资讯 2025年08月24日 11:14 1 admin

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来源：内容来自半导体行业观察综合。

全球第三大内存半导体公司美光科技（Micron Technology）表示有信心明年售罄其生产的高带宽内存（HBM）芯片。HBM是人工智能（AI）的关键部件。目前，HBM龙头企业SK海力士（SK Hynix）正在与其主要客户英伟达（Nvidia）就明年的供应进行谈判，而美光科技则抢先一步，提出了售罄的可能性。

据半导体业界消息人士和外电13日报道，美光公司首席商务官（CBO）苏米特·萨达纳（Sumit Sadhana）11日（当地时间）在KeyBank主办的“技术领导力论坛”上公布了本财年第四季度的盈利预测，他表示，“我们一直在与客户讨论2026年HBM的供应问题，近几个月来取得了重大进展”，并补充道，“基于此，我们有信心明年能够售罄所有HBM库存”。

他补充道：“12层HBM3E的良率提升速度远超8层，12层产品的出货量也已经超越8层产品。”美光所提及的明年供货量，主要以HBM3E（第五代）12层为主，预计也会包含HBM4（第六代）。

占据AI芯片市场90%份额的主导产品12层HBM3E的供应商是SK海力士和美光。三星电子正在接受英伟达的质量测试。美光在宣布HBM3E量产消息时，直接提到英伟达是其客户，以此与竞争对手区分开来。最近提到的“售罄”被解读为考虑到英伟达的供应潜力。

美光也对 HBM4 表现出了信心。这三家内存公司已经向英伟达等主要客户提供了 HBM4 样品。然而，三家公司的生产计划各不相同：SK 海力士和三星电子计划在今年下半年推出 HBM4，而美光的目标是明年。

Sadhana CBO 表示：“我们的 HBM4 将与 HBM3E 采用相同的 1β 节点生产，这是一个非常成熟且性能卓越的节点。”他补充道：“相比之下，我们的一个竞争对手正试图在 1c 节点上生产 HBM4，这将需要额外的工作来验证新技术。”1β 工艺是美光公司对第五代 10 纳米 DRAM 的命名，而下一代 1c 是第六代 10 纳米 DRAM，据信三星电子将从 HBM4 开始应用。

对于下一代产品HBM4E（第七代），Sadhana CBO表示：“一些客户正在寻找将GPU逻辑集成到HBM4E的HBM基础芯片中的定制产品。”他指出，“这种定制开发将产生高昂的费用，因此我们将只与少数供应商合作，这可能会改变市场格局。”

另一方面，尽管一些业内人士预计SK海力士将很快宣布售罄，但ZDNet指出，人们对其合同最终敲定的进展感到担忧。报道称，在第二季度财报电话会议上，该公司表示，已经了解明年HBM的供应情况，但没有透露任何细节——这与2024年上半年的情况不同，当时该公司自信地宣布2025年的HBM配额已售罄。

值得注意的是，ZDNet 指出，SK 海力士最初计划在 2025 年中期与 NVIDIA 完成 2026 年 HBM 的供应，但谈判拖延至本月。据报道，尽管双方高层进行了多次会谈，但双方仍难以调和在产量承诺和 HBM4 定价方面的分歧。

据 ZDNet 报道，HBM4 预计将使 I/O 数量较上一代增加一倍，扩大核心芯片面积，并将基础（逻辑）芯片外包给台积电。因此，业内预计 HBM4 的价格将比 12-Hi HBM3E 上涨约 30%，达到每单位 500 美元左右。

与此同时，尽管最近有传言称三星的12纳米高阶HBM3E即将通过NVIDIA的验证，但这些报道仍未得到证实。关于HBM4，韩联社援引美光公司Sadana的话称，美光的HBM4采用了HBM3E成熟的1β工艺节点，而三星则计划采用更新的1c节点，这需要进一步验证。1β节点代表美光的第五代10纳米级DRAM，而下一代1c节点则是三星计划用于HBM4的节点。

封面图源：美光科技（Micron Technology）

*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。

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