苏州清煜半导体申请多孔碳化硅块体及其制备方法专利，能够实现不同尺寸的多孔碳化硅块体的制备

健康生活 2025年08月15日 22:39 1 admin

金融界2025年8月15日消息，国家知识产权局信息显示，苏州清煜半导体科技有限公司申请一项名为“一种多孔碳化硅块体及其制备方法”的专利，公开号CN120483161A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明涉及碳化硅材料技术领域，具体涉及一种多孔碳化硅块体及其制备方法，该装置包括炉体，设置在炉体的内部并将炉体内部分隔形成上腔室、下腔室的隔离罩；所述隔离罩设计呈可开合形状；所述上腔室内设置有石墨坩埚、加热组件；所述下腔室内设置有升降模组、结晶器；能够实现不同尺寸的多孔碳化硅块体的制备。该制备方法是将高压氢气溶解在硅‑钛熔体中形成硅‑钛‑碳‑氢混合熔体，再通过结晶器与石墨坩埚底部接触并控制石墨坩埚的下拉速率对硅‑钛‑碳‑氢混合熔体进行冷却，使碳化硅溶质和氢气同时析出，制备得到藕状的多孔碳化硅块体；且能够大批量的制备具有宏观毫米级孔隙的多孔碳化硅块体。

天眼查资料显示，苏州清煜半导体科技有限公司，成立于2025年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州清煜半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，专利信息4条。

本文源自金融界