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台积电快速推进美国工厂二期工程:2026年10月入驻设备,目标2027Q4量产

热门资讯 2025年08月14日 10:04 1 admin

今年3月,台积电(TSMC)宣布,计划增加1000亿美元投资于美国先进半导体制造,包括了3座新建晶圆厂、2座先进封装设施、以及1间主要的研发团队中心。最近台积电加快了亚利桑那州凤凰城Fab 21的项目,开工建设第3座晶圆厂,为此还推迟了海外其他地区的建厂计划,将这部分资源转到了美国。

台积电快速推进美国工厂二期工程:2026年10月入驻设备,目标2027Q4量产

据TrendForce报道,随着美国政府宣布计划对半导体征收100%关税,同时美国制造的芯片将获得豁免,为此台积电正在快速推进美国工厂二期工程,以满足当地的生产要求。有消息人士透露,Fab 21的第2座晶圆厂预计2026年10月开始入驻设备,预计2027年第二季度建成一条迷你生产线,并在2027年第四季度开始量产,早于原计划的2028年。

按照之前的说法,台积电计划在Fab 21附近建造两座专用建筑,在当地提供先进封装服务。首个先进封装设施AP1计划2028年开始兴建,与Fab 21的第三阶段建设项目同步,可以为N2及更先进的A16工艺服务。第二座先进封装设施AP2将与Fab 21的第四/五阶段同步,但是还没有具体的日期。

据了解,台积电首批引入的封装技术为SoIC和CoPoS,并非现在经常谈及的CoWoS。

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