首页 热门资讯文章正文

精度0.6nm,中国电子束光刻机大突破,绕开ASML EUV光刻机?

热门资讯 2025年08月14日 12:22 1 admin

目前大规模芯片制造,几乎全部是基于光刻系统。

所以光刻机是必不可少的设备,而光刻机与芯片工艺是对应的,比如制造7nm以下芯片,要使用EUV光刻机。

大家都清楚,EUV光刻机,全球只有ASML一家能够制造,且美国不允许他卖给中国。

精度0.6nm,中国电子束光刻机大突破,绕开ASML EUV光刻机?

所以,一定程度上而言,如果我们走光刻路线来造芯片,想制造7nm以下的芯片,要么自己攻克EUV光刻机,要么换条道,不采用EUV光刻的方案。

事实上,目前不采用这种EUV的方案有多种,比如纳米压印,佳能就已经有了类似的设备,甚至说可以制造5nm的芯片。

而之前英国推出了一种EBL电子束光刻机,采用电子束,直接在硅片上进行光刻,还无需光刻方案中,采用使用的光掩膜版,据称EBL的精度已经可以低于1nm。

精度0.6nm,中国电子束光刻机大突破,绕开ASML EUV光刻机?

近日,国内在EBL方面,也有了突破,浙江大学成果转化基地孵化了一个让人震惊的大项目,那就是全国首台国产商业化电子束光刻机 “羲之”,已经进入了应用测试阶段。

这台EBL光刻机,精度达 0.6nm、线宽 8nm,同样无需掩膜版且可直接在硅晶圆上进行芯片电路图的记录,还可以灵活修改设计,适配芯片研发初期反复调试需求。

很多人称它为中国芯片产业的 “中国刻刀”,因为它同样是全球顶尖的技术,与之前曝光的英国、美国的EBL电子束光刻机相比,并不落后。

精度0.6nm,中国电子束光刻机大突破,绕开ASML EUV光刻机?

当然,目前这台设备,还处于应用测试阶段,但既然进入应用测试,就不再是理论,而是有了实际的机器,可以用于实际的生产了,一旦测试OK,就可以大规模的应用于芯片制造中。

不过,这种光刻机也有缺点,那就是功率不高,效率也不太高,暂时无法用于大规模的芯片制造之中,要取代EUV有点难。

但它,可以用于量子芯片、新型材料芯片这些新型领域,让我们绕开了EUV光刻机路线,更何况继续研发,说不定技术改进后,也能够用于大规模的芯片制造。

可以说,这次真的算是一个巨大突破,不知道ASML慌不慌?一旦这样的光刻机大规模量产,美国的封锁,还有意义么?

发表评论

泰日号Copyright Your WebSite.Some Rights Reserved. 网站地图 备案号:川ICP备66666666号 Z-BlogPHP强力驱动