中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，利于减少上层器件和下层器件之间短路异常的产生概率

抖音热门 2025年08月14日 00:35 1 admin

金融界2025年8月13日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120475769A，申请日期为2024年02月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：各栅沟道结构包括栅极、位于栅极内相互分立的若干第一沟道层和若干第二沟道层，若干第二沟道层位于若干第一沟道层上，若干第一沟道层平行于第一方向，且在第一方向上贯穿栅极，栅极暴露出各第一沟道层相对的两个第一侧壁，若干第二沟道层平行于第二方向，且在第二方向上贯穿栅极，栅极暴露出各第二沟道层相对的两个第二侧壁，第一方向和第二方向平行于衬底表面，且第一方向与第二方向不同；位于若干第一沟道层的第一侧壁表面的第一源漏层；位于若干第二沟道层的第二侧壁表面的第二源漏层，第二源漏层与第一源漏层的导电类型不同，利于减少上层器件和下层器件之间短路异常的产生概率。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造(上海)有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息144条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可452个。

本文源自金融界