长江存储申请半导体测试结构及其制备方法专利，解决由于牺牲材料清除不彻底导致的半导体测试结构良率低的问题

百科大全 2025年08月10日 20:50 1 admin

金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体测试结构及其制备方法”的专利，公开号CN120446711A，申请日期为2024年02月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体测试结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，旨在改善在制备半导体测试结构过程中，由于牺牲材料清除不彻底导致的半导体测试结构良率低的问题。本公开提供的半导体测试结构包括封装基板、转接壳结构、转接板和至少一个测试芯片。其中，转接壳结构位于封装基板的一侧，且转接壳结构与封装基板围设出容纳腔室。以及，转接板和至少一个测试芯片，均位于容纳腔室内；至少一个测试芯片设置于封装基板与转接板之间；转接板包括第三测试触点，第三测试触点与第二测试触点连接。在制作上述半导体测试结构时，不需要在测试触点上方覆盖牺牲材料，解决了由于牺牲材料清除不彻底导致的半导体测试结构良率低的问题。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1396次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

本文源自金融界