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英飞凌申请半导体装置和生产半导体装置的方法专利,一种半导体装置包括晶体管基元

热门资讯 2025年08月08日 15:51 1 admin

金融界2025年8月8日消息,国家知识产权局信息显示,英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“半导体装置和生产半导体装置的方法”的专利,公开号CN120456610A,申请日期为2025年02月。

英飞凌申请半导体装置和生产半导体装置的方法专利,一种半导体装置包括晶体管基元

专利摘要显示,本公开涉及半导体装置和生产半导体装置的方法。一种半导体装置包括:晶体管基元,被形成在半导体衬底中,并且按照电气方式并联耦合以形成功率晶体管。晶体管基元包括:沟槽,在垂直方向上从半导体衬底的第一主要表面延伸到半导体衬底中。沟槽包括:栅极电极;场电极,位于栅极电极下方;和至少一种介电材料,将栅极电极和场电极彼此分离并且将栅极电极和场电极与半导体衬底分离。与场电极和沟槽的每个侧壁之间相比,在场电极和沟槽的底部之间,所述至少一种介电材料更厚。每个沟槽具有在垂直方向上在沟槽的深度上减小的锥形宽度。也描述了一种生产半导体装置的方法。

本文源自金融界

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