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武汉拓扑晶延半导体申请半导体结构专利,提高器件开口率

百科大全 2025年08月07日 21:05 1 admin

金融界2025年8月7日消息,国家知识产权局信息显示,武汉拓扑晶延半导体科技有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利,公开号CN120435136A,申请日期为2023年12月。

武汉拓扑晶延半导体申请半导体结构专利,提高器件开口率

专利摘要显示,本公开涉及一种半导体结构,半导体结构包括基底,位于基底上阵列排布的像素单元,以及公共电极;公共电极环绕像素单元,并与像素单元相连接;公共电极包括第一公共电极、第二公共电极及第三公共电极;第一公共电极沿第一方向与第二方向延伸;第二公共电极沿第一方向与第一公共电极交替间隔排布,并沿第二方向延伸;第三公共电极沿第二方向与第一公共电极交替间隔排布,并沿第一方向延伸。

天眼查资料显示,武汉拓扑晶延半导体科技有限公司,成立于2022年,位于武汉市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析,武汉拓扑晶延半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息4条,专利信息7条,此外企业还拥有行政许可1个。

本文源自金融界

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