晶芯成等申请一种半导体器件及其制备方法、集成电路专利，抑制NBTI效应

百科大全 2025年08月04日 20:04 1 admin

金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法、集成电路”的专利，公开号CN120417463A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本说明书提供了一种半导体器件及其制备方法、集成电路，该器件中，第一栅绝缘层包括氧化部分和氮氧化部分，其中，氧化部分位于氮氧化部分背离衬底一侧。如此，一方面可以利用氮元素的高K值特性，使得氮氧化部分具有较小的EOT，从而降低第一栅氧化层整体的等效氧化层厚度，抑制NBTI效应，改善器件性能。另一方面，第一栅绝缘层中的氧化部分位于氮氧化部分背离衬底一侧，使得在第一栅绝缘层的图形定义过程中，氧化部分可以作为氮氧化部分的保护层，避免氮氧化部分与用于去除掩膜的清洗液的反应，避免了清洗液对第一栅绝缘层顶部（即背离衬底一侧）的损伤，保证第一栅绝缘层对NBTI效应的抑制效果。

天眼查资料显示，晶芯成（北京）科技有限公司，成立于2020年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本20万人民币。通过天眼查大数据分析，晶芯成（北京）科技有限公司专利信息220条，此外企业还拥有行政许可1个。

合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目630次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1185条，此外企业还拥有行政许可21个。

本文源自金融界