北京集成电路装备创新中心申请双大马士革工艺方法专利，提高芯片产品良率及器件性能

热门资讯 2025年08月02日 17:05 2 admin

金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，北京集成电路装备创新中心有限公司申请一项名为“双大马士革工艺方法”的专利，公开号CN120413523A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种双大马士革工艺方法，涉及半导体技术领域。该双大马士革工艺方法包括：在基底上顺序形成介电层、图案化的第一硬掩膜层、第一平坦化层和图案化的第二硬掩膜层；利用第二硬掩膜层干法刻蚀形成停止于基底表面的通孔；去除第二硬掩膜层和第一平坦化层；利用第一硬掩膜层干法刻蚀形成沟槽；去除第一硬掩膜层；形成金属层填充通孔和沟槽，以得到双大马士革结构。该工艺方法能够确保形成通孔的贯通性、通孔底部区域后续形成金属互连结构的低阻、通路；同时第一硬掩膜层于通孔形成之后去除，能够确保通孔关键尺寸的精确传递，提高后续形成金属互连结构关键尺寸的精确度，从而提高芯片产品良率及器件性能。

天眼查资料显示，北京集成电路装备创新中心有限公司，成立于2019年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1013950万人民币。通过天眼查大数据分析，北京集成电路装备创新中心有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可6个。

本文源自金融界