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2025-07-27 0
据7月26日消息,随着芯片工艺冲向7nm及以下节点,EUV光刻成了绕不开的“咽喉技术”。但这技术有个大麻烦:13.5nm波长的EUV光源娇贵得很,反射损耗大、亮度还低,对光刻胶的吸收效率、缺陷控制要求高到离谱。就在这节骨眼上,清华大学许华平教授团队扔出个重磅消息——他们搞出了基于聚碲氧烷的新型光刻胶,给先进芯片材料找了条新路子。
“现在的EUV光刻胶,基本被日本、荷兰几家公司攥着,我们想买都得看脸色。”某芯片制造企业的工程师老周跟我吐槽,“而且进口货有个毛病,对EUV光的吸收效率不到30%,等于大半光源都浪费了,还容易出缺陷,良率上不去,成本就下不来。”
这可不是小问题,去年国内某晶圆厂为了提高良率,光买进口光刻胶就多花了近亿元。
许华平团队的新东西妙在哪?听业内专家解读,聚碲氧烷这材料对EUV光的吸收特别“对症”,理论吸收效率能提到60%以上,这意味着光源利用率翻番,缺陷率可能降一半。
更关键的是,碲元素在国内储量不算低,不像某些稀有元素卡脖子,这给国产化留了大空间。
但从实验室到生产线,路还长着呢。某材料学教授坦言:“光刻胶不光要性能好,还得稳定量产。
实验室做几克样品容易,要搞出吨级的合格产品,纯度控制、生产工艺都是坎。”就像之前某高校研发的新型光刻材料,性能指标不错,却卡在量产时的批次稳定性上,最后没能落地。
现在芯片行业最关心的是,这技术能不能尽快走出实验室。毕竟,EUV光刻胶国产化每往前一步,我们在先进芯片制造上的底气就足一分。
你觉得这种新型光刻胶要真正用上生产线,最该先解决量产还是成本问题?
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