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南瑞联研半导体取得屏蔽栅型IGBT器件及其制造方法专利

抖音快讯 2025年07月25日 12:22 1 admin

金融界2025年7月25日消息,国家知识产权局信息显示,南瑞联研半导体有限责任公司取得一项名为“一种屏蔽栅型IGBT器件及其制造方法”的专利,授权公告号CN114242786B,申请日期为2021年11月。

南瑞联研半导体取得屏蔽栅型IGBT器件及其制造方法专利

天眼查资料显示,南瑞联研半导体有限责任公司,成立于2019年,位于南京市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本86671.89万人民币。通过天眼查大数据分析,南瑞联研半导体有限责任公司参与招投标项目349次,财产线索方面有商标信息30条,专利信息130条,此外企业还拥有行政许可14个。

本文源自金融界

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