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桂林电子科技大学等取得SiCMOSFET器件结温校准曲线生成及评估相关专利

游戏天地 2025年07月25日 10:17 1 admin

金融界2025年7月25日消息,国家知识产权局信息显示,桂林电子科技大学、南宁桂电电子科技研究院有限公司取得一项名为“SiCMOSFET器件的结温校准曲线生成方法及结温评估方法和系统”的专利,授权公告号CN115236477B,申请日期为2022年07月。

桂林电子科技大学等取得SiCMOSFET器件结温校准曲线生成及评估相关专利

本文源自金融界

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