关注：三星部署首台高数值孔径High-NA极紫外光刻设备

健康生活 2025年09月08日 10:05 1 admin

在全球芯片制造技术竞赛不断升温的当下，三星电子于今年 3 月完成了一项具有重大战略意义的部署 —— 安装了首台高数值孔径（High-NA）EUV（极紫外光刻）设备。

这一举措标志着三星在追求芯片制造工艺极致精度与效能的道路上迈出了关键一步，也将对全球半导体产业格局产生深远影响。

High-NA EUV 光刻技术堪称半导体制造领域的 “皇冠上的明珠”。相较于传统 EUV 光刻设备，其通过提升数值孔径（NA），从常规的 0.33 大幅跃升至 0.55，使得设备分辨率显著提升，能够在芯片晶圆上刻画出更为精细的电路图案。

这一技术突破对于推动芯片制造向更小制程节点迈进至关重要，尤其是在 2 纳米及以下制程工艺中，High-NA EUV 设备将成为不可或缺的核心工具。

三星为引入这一前沿技术，投入了巨额资金。每台 High-NA EUV 设备造价约 4 亿美元，堪称半导体制造领域的 “超级奢侈品”。

但对于志在重塑芯片制造格局的三星而言，这笔投资被视为通向未来的战略门票。三星计划利用该设备开发并最终量产 1.4 纳米芯片，有望借此在高端芯片市场取得领先地位，打破当前芯片制程演进的瓶颈。

从行业竞争格局来看，三星的这一动作是对竞争对手的有力回应。英特尔作为芯片制造的老牌劲旅，率先购入并部署了 ASML 的 High-NA EUV 设备，意图凭借技术优势巩固其在高端芯片市场的地位。台积电同样不甘示弱，积极推进相关设备的引进与技术研发工作。

在此背景下，三星加速部署 High-NA EUV 设备，彰显了其在先进制程领域的决心与魄力，力求在这场全球芯片制造技术竞赛中抢占先机。

在技术落地层面，三星并非单打独斗。为确保 High-NA EUV 设备能够顺利融入现有生产体系，实现预期的生产效能，三星与产业链上下游企业展开了广泛合作。在光刻胶方面，三星与全球领先的光刻胶制造商紧密协作，共同开发适配 High-NA EUV 光刻工艺的新型光刻胶材料，以满足更精细光刻图案的要求。在光掩模检测领域，三星携手日本 Lasertec 公司，联合研发专门针对 High-NA 光掩膜的检测设备，提升光掩模制造的精度与质量控制水平。

此外，三星还与蚀刻机制造商东京电子等企业合作，优化蚀刻工艺，确保在新的光刻技术下，芯片制造的各环节能够高效协同运作。

三星引入 High-NA EUV 设备，也反映了全球半导体产业发展的新趋势。随着 5G、人工智能、大数据等新兴技术的蓬勃发展，对高性能、低功耗芯片的需求呈爆发式增长。这促使芯片制造商不断挑战物理极限，寻求更先进的制造技术。

High-NA EUV 光刻技术的出现，为满足这一市场需求提供了可能。通过制造更小、更高效的芯片，不仅可以提升电子产品的性能，还能降低功耗，延长电池续航时间，符合未来科技发展的绿色、高效理念。

展望未来，随着三星首台 High-NA EUV 设备的安装完成，后续的调试与试生产工作将成为关注焦点。一旦该设备实现稳定量产，三星有望在 1.4 纳米芯片制造领域率先取得突破，为其在高端芯片市场赢得更多份额。同时，三星的这一成功经验也将激励更多芯片制造商加大在先进光刻技术领域的投入，推动全球半导体产业向更高水平迈进。

关注：三星部署首台高数值孔径High-NA极紫外光刻设备

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