镓仁半导体 8 英寸氧化镓衬底质量检测结果揭晓，国际领先！

抖音快讯 2025年09月05日 11:20 2 admin

2025年7月，杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”) 8英寸氧化镓衬底通过了国内/国外知名机构的检测，并联合发布检测结果。

第三方检测结果表明，8英寸衬底XRD摇摆曲线半高宽<30 arcsec，达到国际领先水平。8英寸高质量氧化镓衬底的问世，标志着氧化镓产业化应用迈入全面加速落地阶段，是产业发展的重要里程碑。

深圳平湖实验室检测结果

本次测试样品为氧化镓8英寸衬底，取点共计5个，XRD摇摆曲线半高宽测试结果：22~26 arcsec。

8英寸衬底XRD摇摆曲线半高宽第三方测试结果-（深圳平湖实验室）

本次测试样品为氧化镓8英寸衬底，取点共计5个，XRD摇摆曲线半高宽测试结果分别为：16.7 arcsec、16.2 arcsec、15.4 arcsec、15.3 arcsec、12.4 arcsec。

8英寸衬底XRD摇摆曲线半高宽第三方测试结果-（马尔文帕纳科亚太卓越应用中心）

2025年3月，镓仁半导体发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶，并加工出8英寸衬底，刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录。中国氧化镓率先进入8英寸时代，具有深远的产业意义：

首先，8英寸氧化镓能够与现有硅基芯片厂的8英寸产线兼容，这将会显著加快其产业化应用的步伐。

其次，氧化镓衬底尺寸增大可提升其利用率，单片晶圆可制造芯片数量呈几何级增长，降低生产成本、提升生产效率。

最后，中国率先突破8英寸技术壁垒，不仅标志着我国在超宽禁带半导体领域的技术进步，更为我国氧化镓产业在全球半导体竞争中抢占了先机，有力推动我国在全球半导体竞争格局中占据优势地位。

目前在售的氧化镓衬底晶圆主要以2英寸和4英寸为主，难以与主流的Fab场产线设备兼容，这提高了下游器件厂商研发的难度与成本，导致氧化镓应用推进缓慢。

本次质量检测结果充分证明，镓仁半导体8英寸晶圆衬底质量优异，能够满足硅基8英寸产线生产要求，这将大幅降低下游应用端研发的难度与成本，促进产业化应用的快速落地。

镓仁半导体氧化镓衬底已逐步实现产业化，为下游客户提供大尺寸高质量的氧化镓单晶衬底产品。目前，镓仁半导体8英寸衬底已实现产品销售出货。

镓仁半导体不仅提供氧化镓单晶衬底产品，还全面开放氧化镓专用VB法晶体生长设备及配套工艺包的销售。

2024年9月，镓仁半导体推出了首台自研氧化镓专用晶体生长设备，不仅能够满足氧化镓生长对高温和高氧环境的需求，而且能够进行全自动化晶体生长，减少了人工干预，显著提高了生产效率和晶体质量。

该设备通过工艺控制可获得多种不同晶面的大尺寸单晶，且支持向更大尺寸单晶的升级，满足高校、科研院所、企业客户对氧化镓晶体生长的科研、生产等各项需求。该型氧化镓VB法长晶设备及其工艺包已全面开放销售。

来源：镓仁半导体

*声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，宽禁带半导体技术创新联盟转载仅为了传达一种不同的观点，不代表本联盟对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系我们。

发表评论