HBM芯片，走到岔路口

游戏天地 2025年09月03日 09:19 1 admin

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来源：内容编译自m.ddaily，谢谢。

随着人工智能服务器的普及，HBM（高带宽存储器）已成为半导体行业的关键参与者。业内外人士都关注着“基础芯片”（Base Die）的演变。这种基础芯片此前采用 DRAM 工艺制造，但从 HBM4 开始，正在转向代工工艺。三星电子、SK 海力士和美光科技各自制定了不同的战略，以迎接 HBM4 时代的到来。

Base Die，HBM的“大脑”

据存储器行业28日报道，据悉，全球三大存储器公司正在大幅改进Base Die结构，为下一代HBM4的量产做准备。这是因为，随着AI计算量呈指数级增长，Base Die的作用变得越来越重要，它不仅仅是简单的存储器堆叠，还决定着信号处理和功率效率。

HBM 是一种存储设备，它通过使用 TSV（硅通孔）互连技术堆叠多个 DRAM 芯片来最大化带宽。底层芯片接收来自最底层的信号并执行逻辑功能，决定了 HBM 的整体性能和稳定性。它可以被视为 HBM 的“大脑”和“信号控制中心”。

在 HBM3E 之前，该基础芯片都是采用 DRAM 工艺制造的。DRAM 制造商直接设计逻辑电路，并在自己的 DRAM 生产线上生产。然而，基于平面晶体管的 DRAM 工艺在速度、信号完整性和功率效率方面落后于代工厂的 FinFET 工艺。

在此背景下，随着AI服务器性能需求的不断增长，这些限制开始显现。因此，据报道，三星电子和SK海力士决定将HBM4的基底芯片转换为代工工艺。此举旨在解决高性能计算过程中出现的发热和信号延迟问题，并提高能效。与传统DRAM工艺相比，采用代工工艺可以实现更细的线宽和更复杂的晶体管结构，从而打造出适用于高速计算的基底芯片。

另一方面，美光选择了一条不同的道路。其策略是继续使用现有 DRAM 工艺生产基础芯片，直至 HBM4 的量产，但 HBM4E 则利用台积电的代工厂。虽然这一决定看似基于眼前的生产效率和成本考虑，但从长远来看，避免过渡到代工工艺可能会导致其落后于时代。