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台亚半导体申请半导体元件专利,使上部电极经由导电贯穿孔电性连结至发光层

热门资讯 2025年08月23日 11:47 1 admin

金融界2025年8月23日消息,国家知识产权局信息显示,台亚半导体股份有限公司申请一项名为“半导体元件”的专利,公开号CN120529712A,申请日期为2024年04月。

台亚半导体申请半导体元件专利,使上部电极经由导电贯穿孔电性连结至发光层

专利摘要显示,本发明涉及一种半导体元件,其包含一基板、一上部电极、一第一半导体层、一发光层、一第二半导体层及多个导电贯穿孔。其中,第二半导体层、发光层、第一半导体层及上部电极依序设置于基板上。所述导电贯穿孔纵向设置于第一半导体层中,使上部电极经由所述导电贯穿孔电性连结至发光层。

本文源自金融界

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