宁夏中欣晶圆申请检测硅单晶COP free区域分布的方法专利，提升COP free区域分布的检测准确性

抖音热门 2025年08月20日 21:12 1 admin

金融界2025年8月20日消息，国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“检测硅单晶COP free区域分布的方法”的专利，公开号CN120507188A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供了一种检测硅单晶COP free区域分布的方法，涉及硅单晶质量检测技术领域，包括：对待测硅片进行清洗得到第一硅片；在第一硅片表面均匀涂抹过渡金属离子溶液得到第二硅片；将第二硅片放入高温环境中，并在三个温度梯度下进行热处理得到第三硅片；其中在第一阶段使过渡金属离子扩散至硅片表层激活Pv区氧析出物，在第二阶段促进过渡金属离子向硅片内部扩散显影Pi低氧区域，在第三阶段高温激活B‑band区原子核聚结形成差排环；将第三硅片通过混酸溶液进行清洗得到第四硅片；对第四硅片置于择优腐蚀液中进行择优腐蚀，并将得到的检测样片进行COP free区域分布的检测。

天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息299条，此外企业还拥有行政许可25个。

本文源自金融界