打破美韩垄断，国产芯片专利拿捏三星，但仍有关键设备被卡脖子

抖音推荐 2025年02月26日 16:15 3 admin

韩国芯片

前言

“美国越是制裁中国，中国就越会快速实现技术进步”，这是韩国三星曾经的高管，去年所作出的判断，如今这则预言已经应验了。

前不久，韩媒报道称如今韩国三星这个“存储一哥”，居然在核心技术和专利上依赖中国，被我国的芯片公司所拿捏了。

这究竟是怎么回事，我国的芯片技术原来已经强到如此地步了吗？

韩国三星

韩国三星寻求国产芯片专利

近年来，我国的各个领域的技术都有了飞快进步，不少行业甚至都已经做到了全球顶尖水平。

不过在被誉为“现代科技明珠”的芯片领域，不愿意看到我国掌握强大芯片技术的美国，自然也是对我国不断施加各种新的严格制裁手段。

可即便是在以美国为首的西方国家，持续不断的限制打压之下，我国的芯片产业依旧实现了长足进步。

三星芯片

而且还不单单是靠着成熟制程的芯片生产实现的这一结果，时至今日，就连在存储芯片技术上冠绝全球的韩国三星，居然也得开始仰仗于我国的芯片制造技术。

前不久，韩国媒体以一种看起来近乎“哀叹”的口吻报道称，原本在存储芯片技术上领先全球的韩国三星以及另一家巨头海力士，未来的生产得依赖中国的技术和专利了。

韩媒报道

为了能够开发生产下一代堆叠层数能够达到430层的高端存储芯片，韩国引以为傲的“存储一哥”三星，找上了我国的芯片厂商长江存储租赁专利。

按照韩媒的报道，三星已经和我国的长江存储签下了专利许可协议，未来可能韩国另一家芯片巨头海力士也得找长江存储拿到专利许可。

这究竟是怎么回事？不是说韩国在存储芯片领域全球领先吗，我国的芯片技术居然已经强到最尖端也领先了吗？

韩国芯片巨头三星和海力士

长江存储芯片技术专利拿捏韩国三星

乍一看想必不少人应该都会有些没想到，要知道在全球存储芯片市场上，韩国的三星和海力士两大巨头加起来，能够占到超过一半的份额。

而且不论是产能还是技术实力，三星此前都位居世界前列水平，早些年尤其是高端硬盘或者说内存产品，都备受国内外消费者青睐。

可如今的三星在准备开始下一代产品生产时，却发现要想做到420到430层NAND的堆叠，必须要用到混合键合这种芯片封装技术的帮助。

三星存储芯片技术

然而这种技术却是三星的短板，如果用三星自己原本的堆叠技术的话，电路和晶元的压力就会过大，导致最终生产出来的产品可靠性和良品率过低，甚至可能会直接把晶元“压碎”。

可回过头来寻找相关专利之后，这个曾经的“存储一哥”发现，要想用混合键合技术来进行生产的话，根本不可能绕开我国长江存储所掌握的技术专利。

图源网络

如今的三星甚至整个韩国，在芯片代工技术被台积电远远甩开之后，连唯一的“遮羞布”存储芯片技术，也已经开始被我国企业所“拿捏”了，难怪韩国网友看到这样的消息会直接怒喷三星拿着高薪不去做技术研发了。

那么，我国芯片企业长江存储，究竟是怎么在美国打压制裁之下，成为存储芯片领域后起之秀的呢？

国产芯片厂商长江存储

长江存储打破国外技术垄断

和有着多年芯片研究生产历史的韩国三星相比，我国的长江存储成立至今连10年时间都没有，而且成立之后就要面对国外芯片巨头带来的竞争压力，以及美国持续不断芯片制裁的打压。

不过在这种不利条件下，长江存储没有选择依赖国外的芯片技术和设备，他们的目标不是简单的做代工低端产品，而是要打破国外垄断，掌握属于我们自己的高端芯片技术。

早在2016年成立之初，长江存储拿到国家基金投资之后，就朝着3D NAND等存储芯片的相关技术，不断投入大量科研资金攻克技术专利。

长江存储芯片

在国外巨头垄断技术的情况下，长江存储靠着自主研发，积累了大量自己的技术专利，还推出了名为“Xtacking”的混合键合技术。

靠着这种在两个独立晶圆上分别加工外围电路和内存单元，再利用混合键合技术重新堆叠连接在一起的新技术。

长江存储技术

长江存储成功突破了三星、海力士以及美光等海外巨头的垄断，短短3年时间就实现了产品精度上的飞跃。

时至今日，长江存储已经能够实现270层高密度闪存的量产，未来更是有望靠着这项技术专利突破400层乃至500层的堆叠极限，而这也是三星必须依赖于我国芯片公司的关键。

不过，对于成绩卓著的长江存储来说，摆在面前的依旧还有不小的限制，关键的芯片相关设备就还有不少还在被西方“卡脖子”，这究竟是怎么回事呢？

图源网络

芯片相关设备仍是国内短板

到目前为止，长江存储的芯片相关专利数量已经突破了1万件，更是做到了行业巨头也要来寻求专利许可的高度。

不过毕竟长江存储是一家芯片设计和生产企业，在我国较为落后的芯片制造等设备上，还有不小的短板。

就比如这次讨论的关键混合键合技术，相关领域依旧是海外设备占据主导地位，虽说国内也有国产化设备替代，可对位精度却还没能做到国外顶尖水准。

图源网络

在这种情况下，长江存储虽说已经实现了技术上的突破领先，可设备的短板在已经被美国拉进实体清单的情况下，很可能会成为未来的被卡脖子的关键。

当然，这一点长江存储自然也是心知肚明，去年外媒彭博社的报道就提到，长江存储也在利用国产芯片设备，在快速赶超三星和海力士这些巨头NAND闪存技术的差距。

彭博社报道

而如今长江存储已经实现了技术的突破，甚至让三星也得依赖于我国自己的芯片技术专利，而在国外调研机构的分析报告中，如今长江存储的国产设备已经占据了很大一部分。

如今就连韩国人也承认，我国的芯片技术已经全面领先了韩国，相信在未来国产芯片技术和设备不断实现新的突破之后，我国的芯片产业将会彻底改变世界芯片领域的格局。

国产芯片

信息来源：

观察者网《历史一幕！长江存储向三星授权关键技术专利》2025-02-25

光明网《韩媒：调查显示，韩半导体技术几乎全部落后于中国，“专家看法仅两年就发生改变”》2025-02-23

金融界《东吴证券：国产半导体设备核心技术突破获国际认可相关设备链迎增量机遇》2025-02-26

彭博社《YMTC Refines Chip Tech With Chinese Tools, TechInsights Says》2024-09-18

观察者网《韩议员、前三星高管：美国越是制裁，中国越努力快速实现技术进步》2023-08-06

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