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中国EUV光刻机可能有ASML一代水平

热门资讯 2025年08月20日 09:29 1 admin

EUV光刻,电子束光刻机进展到0.6纳米,可以制造EUV掩膜版。

中国EUV光刻机可能有ASML一代水平

EUV光源,能到第二代250瓦一半水平,学ASML有120多瓦和哈工大有80瓦。当时ASML用LPP方案,没用哈工大那类-电磁加上激光激发等离子(LDP)。

试验的2021年就有50瓦,产率是10片。

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