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2025-08-19 0
在AI加速卡领域,HBM显存正成为技术突破的关键。
这种比传统DDR显存速度更快、带宽更高、功耗更低的存储芯片,长期被三星、SK海力士、美光三家国际巨头垄断。
从HBM到HBM3e,国外厂商已迭代多次,而国内存储芯片企业直到去年才实现HBM2量产,与头部阵营存在明显代差。
这种差距背后,既有技术积累的时间差——国际厂商研发HBM超过十年,而国内企业成立不足十年;也有外部因素制约,美国对相关技术的封锁一度让国内产业链面临"无米之炊"的困境。
但就在近日,行业传来重磅消息:国产HBM3已完成送样测试,大概率年内实现大规模量产。这一进展不仅意味着国内存储芯片正式跨入第三代HBM技术门槛,更打破了国际三巨头对高端HBM市场的绝对控制。
值得关注的是,此次突破来得格外迅速。去年国内企业刚实现HBM2量产,今年便完成HBM3技术跨越,这种"两级跳"的节奏让国际同行始料未及。
当前全球能规模化生产HBM3的仅三家国际巨头,国产技术的加入直接改写了市场格局。更深远的影响在于,随着国产HBM3量产,正在快速崛起的国产AI芯片将获得关键支撑。
当前,国产AI芯片正经历爆发式增长。受美国对H20芯片政策反复及安全质疑影响,越来越多企业转向国产方案。而AI芯片的性能发挥高度依赖HBM显存的带宽与速度,此前因HBM3缺位,国产AI芯片在高端市场始终差"一口气"。如今HBM3的突破,恰似为高速奔跑的国产AI芯片装上了更强劲的引擎。
当然,我们必须清醒认识到,与三大巨头已量产的HBM3e相比,国产HBM3仍存在半代到一代的技术差距。但按照当前研发速度,在下一代HBM4技术竞争中追平甚至反超并非不可能。更重要的是,HBM3的国产化将直接冲击国际市场的价格体系与产能分配,过去被高价与缺货困扰的国产AI芯片企业,将获得更稳定、更具性价比的供应选择。
从DDR到HBM,从HBM2到HBM3,每一次存储技术的迭代都在重塑AI芯片的竞争格局。此次国产HBM3的突破,不仅是一次技术补课,更是中国半导体产业在关键领域打破封锁、实现自主的生动注脚。当国产AI芯片遇上国产HBM3,这场双向奔赴的技术协同,或将催生出比肩国际顶尖水平的中国AI计算方案。
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