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镓宏半导体取得GaN基HEMT外延结构及其制备方法专利

健康生活 2025年08月19日 14:54 1 admin

金融界2025年8月19日消息,国家知识产权局信息显示,江苏镓宏半导体有限公司取得一项名为“一种GaN基HEMT外延结构及其制备方法”的专利,授权公告号CN115632061B,申请日期为2022年06月。

镓宏半导体取得GaN基HEMT外延结构及其制备方法专利

天眼查资料显示,江苏镓宏半导体有限公司,成立于2021年,位于徐州市,是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本19221.9万人民币。通过天眼查大数据分析,江苏镓宏半导体有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息53条,此外企业还拥有行政许可14个。

本文源自金融界

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