东微电子申请用于制备钌钴靶材以形成组分梯度薄膜的方法专利，不换靶材即可在溅射过程中形成成分梯度薄膜

抖音推荐 2025年08月19日 10:17 2 admin

金融界2025年8月19日消息，国家知识产权局信息显示，河南东微电子材料有限公司申请一项名为“一种用于形成组分梯度薄膜的钌钴靶材的制备方法”的专利，公开号CN120485717A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供了一种用于形成组分梯度薄膜的钌钴靶材的制备方法，包括以下步骤：将钌粉末和钴粉末按两种不同原子比分别进行干法球磨混合；将混合均匀的两种组分比例的钌钴合金粉末分别模压成型；通过热等静压烧结制备出两种组分比例的钌钴靶材；将两种不同成分的钌钴靶材交替拼接固定在同一背板上。本发明通过采用两种不同组分比例的钌钴粉末，通过优化粉末混合、模压、烧结等工艺，能够简便高效地制备出具有不同成分的钌钴靶材，不换靶材即可在溅射过程中形成成分梯度薄膜，避免了更换靶材的复杂过程，进而提高了生产效率，并确保了薄膜的成分稳定性。

天眼查资料显示，河南东微电子材料有限公司，成立于2018年，位于郑州市，是一家以从事有色金属冶炼和压延加工业为主的企业。企业注册资本15200.18426万人民币。通过天眼查大数据分析，河南东微电子材料有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息123条，此外企业还拥有行政许可9个。

本文源自金融界