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中国第二条线DUV多重曝光到2纳米

抖音快讯 2025年08月19日 08:55 1 admin

华为和中芯国际专利浸润式DUV光刻机可通过多重曝光(如SATP+SADP技术)实现6.3nm半间距(EUV 是6.7mm),接近2nm需求。目前,5纳米成品率到了70%,用于大数据模型训练GPU。

中国第二条线DUV多重曝光到2纳米

标准路线是第三代ASML EUV光刻机5200B High-NA EUV以提升良率和效率,避免多重曝光带来的工艺复杂性。

自己研究EUV光刻机只有第一代水平,初始曝光22纳米,比DUV光刻机38纳米好一些,DUV和EUV混合工艺进一步到极限。

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