华虹半导体申请改善沟槽顶部侧掏的分步钝化刻蚀方法专利，显著改善深沟槽顶部的侧掏问题

热门资讯 2025年08月18日 08:25 1 admin

金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“改善沟槽顶部侧掏的分步钝化刻蚀方法”的专利，公开号CN120497134A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明公开了一种改善沟槽顶部侧掏的分步钝化刻蚀方法。该方法包括：步骤一，执行第一刻蚀工艺形成沟槽顶部区域，设置工艺条件以促进在沟槽侧壁形成钝化保护层并获得具有预定倾斜角度的侧壁轮廓；步骤二，在第一刻蚀工艺之后，执行第二刻蚀工艺形成沟槽深部区域，设置工艺条件以提高刻蚀方向性，获得基本上垂直的侧壁轮廓。通过该分步方法，第一步形成的钝化层有效保护了沟槽顶部在第二步长时间刻蚀中免受横向侧掏，同时初始的倾斜侧壁也为后续刻蚀提供了补偿。本发明能够显著改善深沟槽顶部的侧掏问题，尤其适用于小CD、高深宽比结构，优化了沟槽形貌，有利于后续工艺进行，提高了器件性能和良率。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1761条，此外企业还拥有行政许可117个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目375次，专利信息64条，此外企业还拥有行政许可227个。

本文源自金融界