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2025-08-18 0
国产芯换道超车！中国首台“纳米压印光刻机”交付：直击西方要害
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2025年08月18日 03:15 1
admin
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8月初，杭州璞璘科技宣告：国产首台步进式纳米压印光刻机（PL-SR）完成验收并交付。
技术指标直指荷兰巨头ASML所主导的先进制程，但选择了与EUV完全不同的路线。
公开信息显示，这款设备已支持亚10nm级线宽并进入实际客户场景验证。
那么，国产装备真的握住了“换道超车”的钥匙？我国首台纳米压印光刻机，究竟能把门槛撬开到什么程度？
2025年8月1日，来自杭州的璞璘科技宣布国产首台半导体级步进式纳米压印光刻机完成交付。
8月5日，更多细节通过媒体披露，包括设备定位于“喷墨+步进”架构，面向特色工艺客户，且已完成存储相关验证。
与荷兰光刻机“以光刻胶受光、镜头成像、缩小投影”的思路不同，纳米压印路线把“成像”环节换成了“直接成形”。
先在高精度模板上制出纳米级图形，再通过精密贴合把图形“压”进光刻胶层，随后固化、脱模，图案即转移到晶圆表面。
这样做的关键，在于把复杂而高成本的短波光源与超大口径高数值孔径镜头统统绕开，把难点转移到模板、涂胶、贴合与脱模的工程控制。
理论上只要模板能做得更细，几何复制就能突破光学衍射极限，意味着设备并非一次性在整片晶圆上压印，而是将晶圆划分为多个曝光（压印）场区，模板按节拍逐场压印，类似传统步进式投影机的节拍化生产思路。
这种架构更适合与量产节拍、对准控制、模板维护等环节打通。
公开报道提到，该设备采用喷墨方式精确配胶，并在贴合环节攻克了“非真空完全贴合”等痛点。
这正是纳米压印稳定量产的生死线：若贴合过程中混入气泡或残胶，后续图形转移、剥离与良率都会受到冲击.
指标层面，璞璘公开口径为“支持线宽<10nm”的纳米压印工艺能力，并已完成存储相关的研发验证。
佳能在2024年公布的FPA-1200NZ2C给出的“最小线宽14nm（相当于5nm节点逻辑所需）”是一个重要参照，且其官方展望认为随着掩模（模板）工艺演进，10nm线宽对应2nm节点亦是预期方向。
国产设备如今把“<10nm支持”写进规格与交付新闻中，至少在线宽能力上与国际对手拉近了距离。
要做到这一点，工程细节的门槛并不低，喷墨涂胶要在不同拓扑区域精准配胶。
既保证模板微纳结构被充分填充，又把残余层厚度与均匀性控制在可刻蚀窗口内，压印压力、时间、固化能量与脱模路径的组合，需要精准配合。
每一环都直接影响良率与节拍，是从“能做”走向“能稳稳做”，再到如今“连续做”的关键门槛。
相关报导中，喷墨薄胶与非真空贴合是该设备突破项，表明国产路线已将工程工作拉到“量产”的层面，而非停留在实验室演示。
EUV通过13.5nm极紫外光与高数值孔径光学实现最先进逻辑层图形，但其系统造价、能耗与维护复杂度众所周知。
纳米压印的卖点在于用“几何复制”换“光学极限”，从而在设备成本与能耗上取得显著优势。
国产PL-SR加入这一路线，等于在成本、性能、工艺可达性的三角形里。
尝试把“性能端”拉到先进节点可用的门槛，同时把“成本端”压下去，为特定制程打开一扇新窗。
但“先进不等于通吃”，纳米压印进入产线，离不开对准控制、模板寿命、缺陷管理（颗粒/气泡/残胶）、以及模板与晶圆的热机械匹配等系统工程。
尤其在步进架构下，场与场之间的拼接误差、模板局部磨损带来的缺陷增长、以及模板更新与清洗的周转效率，都会被节拍与成本放大。
正因如此，国际内外的推动者都倾向于从“更匹配”的品类切入，再谋求向难度更高的应用扩展。
璞璘公开资料显示，公司自2017年起围绕纳米压印设备、材料与应用布局，团队与纳米压印技术发明人Stephen Y. Chou存在关系。
而此人被称为“纳米压印之父”，在90年代中期，建立起这一路线的理论与实验基础，并推动早期产业化。
这条“学术—工程—产业”的栈道，为国产装备在模板、材料与工艺协同上打下了资源与方法论基础。
存储芯片市场竞争激烈，成本压力巨大，哪怕是单片成本下降几个百分点，都可能在大规模出货中累积成显著的利润差距。
与EUV相比，纳米压印的耗电量可降低至约10%，设备投资成本可降至40%左右。
对于国内正在冲击高端制程的存储厂商来说，这类降本潜力是极具吸引力的，
过去，国内厂商高端制程推进中，不仅要面对三星、SK海力士、镁光等巨头，还要受制于光刻等核心设备的进口限制。
如今，有了PL-SR这样的国产装备，国内厂商在推进10nm及以下制程时的外部依赖度将显著降低，若当国产设备在某一细分领域实现稳定供应和持续优化，国际竞争对手可能会被迫调整定价或策略，这为国内存储企业争取到了更灵活的市场空间。
此外，纳米压印在存储芯片领域的切入，还有助于为更高难度的逻辑芯片应用积累经验。
虽然两者在图形复杂度和工艺节拍上差异明显，但在设备可靠性、模板寿命、缺陷控制、产线集成等方面，有大量通用的技术储备。
一旦在存储赛道建立起成熟的工艺包和稳定的维护体系，这些成果就可以为未来向逻辑芯片领域扩展打下基础。
在AI芯片方面，国内的研发速度在近几年显著加快，受到美国对英伟达等公司产品出口限制的刺激，国内厂商主动加大投入，试图在这一前沿赛道上缩短差距。
公开数据表明，华为昇腾384超节点的算力可达300Pflops，接近英伟达最新的芯片。
更重要的是，这类芯片已经在全国多个数据中心上线运行，服务于互联网平台、汽车制造、央企业务等多种场景，验证了其在不同应用领域的可行性与稳定性。
纳米压印、AI芯片、硅光等方向的持续推进，离不开上游材料、设备、EDA工具、测试与封装等全链条的支持。
资金扶持、研发平台建设、人才引进与培养等措施，正在为企业减少试错成本、缩短迭代周期提供保障。
这种由国家层面推动的资源整合，使得国产芯片的发展不再是零散的个体努力，而是逐渐形成有组织、有节奏的整体推进。
当纳米压印在存储领域持续发力，AI芯片在算力上缩小差距，硅光和AR显示等领域不断积累经验时，中国半导体产业就有了更多主动权去选择下一步的突破口。
我国首台纳米压印光刻机的落地，证明了在全球半导体竞争中，改变格局的机会并非不存在，关键在于能否抓住并把它做大做强。
参考信源：
璞璘科技 2025年08月05日《璞璘科技交付中国首台半导体级步进纳米压印光刻系统!——致敬纳米压印技术发明30周年》
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