双双跌破40%！三星电子DRAM内存与显示面板市况不佳

抖音推荐 2025年08月15日 21:01 1 admin

三星电子表示存储器部门今年下半年将以盈利为中心持续运营业务。

根据三星电子本月 14 日发布的半年报，该企业 2025 年上半年在 DRAM 内存和智能手机显示面板领域市占表现均弱于 2024 年，双双跌破 40% 大关。

其中在 DS 分支存储器部门负责的 DRAM 业务方面，去年其内存市场占有达到 41.5%，而到今年上半年则仅有 32.7%，下滑幅度达 8.8 个百分点。

三星电子表示存储器部门今年下半年将以盈利为中心持续运营业务，其中 DRAM 部分将通过 HBM、大容量 DDR5、服务器 LPDDR5x 等产品积极应对市场的规模化及产品多样化趋势；而在 NAND 部分则将加速向第八代 V NAND 的全面产线升级以提升价格竞争力。

而对于智能手机显示面板业务，三星显示的市占则是在从 2023 年的 50.1%“跳水”到 2024 年的 41.0% 后进一步下降 1.1 个的百分点到 39.9%。

在整体智能手机市场停滞的背景下，三星显示在抓住折叠屏等高端面板需求的同时正努力扩大较大尺寸 OLED 面板业务，其将平稳准备 G8.6 OLED 生产线，抢占增长中的 IT OLED 市场。

据悉，三星正在加大对HBM的招聘力度，与此同时，缩减了表现不佳的晶圆代工部门的招聘规模，旨在重新夺回半导体行业的领导地位，推动业绩在第二季度疲软后实现反弹。

三星电子设备解决方案（DS）部门计划在其九个主要业务部门中的六个部门招聘经验丰富的人才，涵盖存储芯片业务、晶圆代工、半导体研究中心、全球制造和基础设施、测试和系统封装以及人工智能中心。招聘申请将于 8 月 19 日开放。具体而言，三星正在积极寻找能够为先进 HBM 设计新架构的封装开发，同时也需要产品规划人员与对定制 HBM 感兴趣的客户进行沟通。

在 HBM 产品研发方面，三星也有明确的规划。三星存储业务执行副总裁 Kim Jae - joon 此前在财报会议上表示，三星的 HBM4 开发工作正按计划推进，将于 2025 年下半年实现量产，并预计 2026 年开始商业供应。目前，公司正在与多家客户合作开发基于 HBM4 和增强型 HBM4E 的定制版本。

HBM4 技术相较于前代产品具有显著优势。它支持高达 2TB/s 的数据传输速率，比 HBM3E 快约 66%，并提供更高的带宽和容量。三星采用先进的 4nm 工艺制造 HBM4 逻辑芯片，并结合 10nm 工艺生产 DRAM，进一步提升了性能和能效。当前，HBM4 在 AI、深度学习和高性能计算等领域需求强劲。摩根士丹利预测，全球 HBM 市场规模有望从 2023 年的 40 亿美元增长至 2027 年的 330 亿美元。为了集中资源发展高端产品，三星正在逐步淘汰老款 HBM2E 和 DDR4 内存芯片的生产。

值得一提的是，三星的 HBM4 在技术上有了重要突破。此前，三星 HBM3E 及之前的 HBM 采用的是 DRAM 制程的基础裸片（Base Die），定制性较差。而 HBM4 将 DRAM Base Die 改成 Logic Base Die，这个 Logic Base Die 位于 DRAM 底部，是连接 AI 芯片内部 GPU 和 DRAM 的必备组件，充当 GPU 和内存之间的控制器。客户可以集成自己的 IP，不仅能存储，还能执行更复杂的操作，满足特定需求。

此外，三星重新设计的1c DRAM似乎正在取得进展。据业内人士透露，该公司正在推行两种策略来改进1c DRAM：一种是修改之前的1a和1b设计，另一种是彻底重新设计以打造新一代芯片。彻底重新设计可以扩大芯片尺寸，从而提高产量，但由于晶圆使用量和开发工作量增加，成本也随之增加。

业内人士警告称，目前仍需进行额外的测试，且PRA审批并非成功的最终指标。良率挑战通常在全面量产过程中出现，稳定产量和质量还需要更多时间。

目前，三星开发的新一代定制 HBM4，主要客户并非英伟达，而是微软和 Meta 自行开发的芯片 Maia 100 和 Artemis。随着越来越多科技公司加快建设 AI 和数据中心的步伐，降低芯片采购成本的需求愈发迫切。他们一方面购买英伟达和 AMD 的芯片，一方面也自行开发芯片。三星既制造芯片又设计芯片（LSI 部门），自然成为这些科技巨头的理想合作伙伴。业内人士称，三星首款定制化 HBM（预计将是 HBM4E）很可能在明年下半年推出，目前三星正在与博通和 AMD 就供应定制化 HBM4 进行深入谈判。

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