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上海集成电路制造创新中心等取得半导体器件沟道结构制作方法专利
健康生活
2025年08月15日 17:04 1
admin
金融界2025年8月15日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路制造创新中心有限公司;复旦大学取得一项名为“半导体器件的沟道结构的制作方法”的专利，授权公告号CN114937700B，申请日期为2022年06月。
本文源自金融界
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