华虹半导体申请改善一次性可编程存储器性能的半导体器件及其制造方法专利，大幅提升一次性可编程存储器的数据保持能力

抖音热门 2025年08月15日 12:49 1 admin

金融界2025年8月15日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“改善一次性可编程存储器性能的半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120500042A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种改善一次性可编程存储器性能的半导体器件，包括一半导体衬底，半导体衬底上形成有栅极结构，栅极结构的侧壁上形成有侧墙；金属硅化物区域，设置在半导体衬底和/或栅极结构上的预定区域；一接触刻蚀停止层，设置在半导体衬底、栅极结构和金属硅化物区域之上，接触刻蚀停止层包括：一富硅氧化物层，直接设置在半导体衬底、栅极结构和金属硅化物区域之上；以及一氮化物层，设置在富硅氧化物层之上；一层间介质层，设置在接触刻蚀停止层的氮化物层之上；以及接触通孔，贯穿层间介质层和接触刻蚀停止层延伸，以接触金属硅化物区域。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1740条，此外企业还拥有行政许可117个。

本文源自金融界