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2025-08-14 0
HBM芯片听起来陌生,其实是内存领域的一种特殊技术。它全称是“高带宽内存”,本质还是DRAM(动态随机存取存储器),但用了3D堆栈工艺,把多层内存芯片叠在一起,比普通DDR内存速度更快、容量更大。
这种特性让它成了AI芯片的“标配”——AI计算需要同时处理海量数据,普通内存根本不够用,HBM的高带宽和大容量刚好能解决这个痛点。
目前全球HBM市场被三家企业牢牢把控:韩国SK海力士占70%以上份额,三星和美国美光加起来占30%左右。这三家从HBM到HBM3代际更新中始终领先,尤其是SK海力士的HBM3技术,12层堆叠设计能让带宽达到9.6Gbps,性能非常强劲。
中国企业在这领域起步较晚,之前连HBM3都造不出来。但最近有个好消息:国内内存厂商长鑫已经生产出HBM3样品,并开始给华为供货验证,很快就能量产。
这批HBM3用的是16nm工艺,8层堆叠设计,带宽约6.4Gbps,虽然比SK海力士的12层、9.6Gbps稍弱,但已经能满足国内AI芯片的基本需求。
这次突破意义不小。首先,HBM三巨头的垄断格局可能要变成“四巨头”,中国终于有了自己的声音。以前美国想通过技术封锁卡住我们的HBM供应,现在自己能造,封锁就成了一张废纸。其次,长鑫的HBM3虽然技术稍落后,但能先把产品做出来、用起来,后续再升级就容易多了。
市场机构预测,随着HBM3量产,长鑫在DRAM内存市场的份额会从今年的7%涨到2027年的10%。别小看这3%的增长,它意味着要从三星、美光、SK海力士手里抢订单,全球内存市场的竞争格局正在悄悄变化。
当然,我们也得清醒认识到差距。目前的HBM3在堆叠层数和带宽上和头部企业还有代差,但至少解决了“有没有”的问题。就像造汽车,先能自己造出国产发动机,再慢慢优化性能一样,HBM的突破让中国芯片产业在关键环节上多了一张底牌。
未来,随着技术迭代和产能提升,国产HBM有望在更多领域替代进口。这对AI芯片、高性能计算等需要高带宽内存的应用来说,无疑是个好消息。技术封锁从来吓不倒自主创新的脚步,这次HBM3的突破,又给“中国芯”添了一把火。
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