新存科技申请等离子体刻蚀清洗方法及相变存储器专利，提高器件电性参数及晶圆良率

百科大全 2025年08月13日 18:36 1 admin

金融界2025年8月13日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“一种等离子体刻蚀的清洗方法及相变存储器”的专利，公开号CN120473386A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明提供了一种等离子刻蚀的清洗方法，包括步骤：将半导体器件半成品经等离子体刻蚀后先在氨水稀释液中进行第一次浸泡，然后在柠檬酸清洗液中进行第二次浸泡；所述半导体器件半成品包括至少一层含有碳元素的薄膜与至少一层含有OTS选通材料的薄膜。与现有技术相比，本发明在刻蚀无法满足尺寸修正的情况下，利用氨水对含有OTS选通材料的薄膜具有刻蚀能力，且对于含有碳元素的薄膜不存在刻蚀能力，在后续湿法工艺中加入一步稀氨水进行OTS的形貌修正，然后接上柠檬酸进行常规清洗，既能加强清洗能力的同时还能满足电性尺寸要求，从而提高了器件电性参数及晶圆良率。

天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目3次，专利信息134条。

本文源自金融界