全球首款 X-HBM 架构重磅登场

热门资讯 2025年08月11日 02:22 1 admin

近日，NEO Semiconductor 重磅推出全球首款用于 AI 芯片的超高带宽内存（X-HBM）架构，基于其自研的 3D X-DRAM 技术，突破传统 HBM 技术在带宽与容量上的瓶颈。这一架构的发布，或将引领内存产业迈入 AI 时代的 “超级内存” 时代。

当前主流的 HBM 技术演进遇阻，预计 2030 年左右上市的 HBM5 仅支持 4K 位数据总线、40Gbit 容量，而 2040 年左右的 HBM8 也不过 16K 位数据总线、80Gbit 容量。相比之下，X-HBM 直接跃升至 32K 位数据总线，单芯片容量高达 512Gbit，带宽为现有内存的 16 倍，密度为现有内存的 10 倍，让 AI 芯片设计人员提前突破传统 HBM 技术长达十年的性能瓶颈。

X-HBM 的核心技术 3D X-DRAM 架构通过垂直堆叠与创新的数据通道设计，打破传统 DRAM 二维扩展限制，解决横向扩展带来的面积与功耗问题，显著提升芯片带宽密度比。

生成式 AI 模型对存储带宽与容量需求剧增，X-HBM 专为满足这一趋势设计，能应对未来 AI 训练与推理中对内存高带宽、高密度、低延迟的核心诉求，成为 AI 芯片架构演进的关键变量。随着算力需求爆发，内存技术不再是配角，X-HBM 架构凸显内存与计算协同效率的重要性，预示着未来 AI 芯片发展新方向。

NEO的X-HBM大幅跃迁至：

32K位数据总线512Gbit容量/每芯片带宽为现有内存的16倍密度为现有内存的10倍