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宏微科技:IGBT、SiC、GaN功率器件在可控核聚变领域有广阔应用空间

百科大全 2025年08月11日 00:51 1 admin

证券之星消息,宏微科技(688711)08月05日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

宏微科技:IGBT、SiC、GaN功率器件在可控核聚变领域有广阔应用空间

投资者提问:董秘你好,近期市场对可控核聚变技术的发展关注度比较高,作为国内功率半导体领域的领先企业,请问公司在未来的业务规划中对这类领域的是否有一些前瞻性的考虑?另外公司的核心产品在核聚变装置中的关键作用中是否存在应用契合点以及技术储备?谢谢

宏微科技回复:尊敬的投资者,您好!感谢您对公司的关注及对技术趋势的前瞻洞察。直线型场反位形可控核聚变装置依赖超高功率脉冲电源系统,经过充分的技术论证,公司的IGBT、SiC、GaN等功率器件在该领域有广阔的应用空间。近日,公司与瀚海聚能(成都)科技有限公司签订战略合作协议,以公司的高频开关技术储备与瀚海聚能的直线型FRC技术路线相融合,将加速FRC核聚变装置在背景磁场电源系统、脉冲电源系统、辅助加热电源系统方面的技术突破。相关产品正在联合研发过程中,暂未形成成熟订单,如有具体订单进展,公司将根据信息披露规则及时履行信息披露义务。本回复不构成投资建议,公司提醒投资者应充分了解股票市场风险,理性投资,注意投资风险。

以上内容为证券之星据公开信息整理,由AI算法生成(网信算备310104345710301240019号),不构成投资建议。

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