中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，降低在第二区的栅极层中产生缝隙、空洞等缺陷的概率

百科大全 2025年08月10日 20:37 2 admin

金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120456589A，申请日期为2024年02月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底，衬底包括第一区和第二区，第一区的器件工作电压小于第二区的器件工作电压；鳍部，分立于第一区和第二区的衬底上；隔离层，位于衬底上且围绕鳍部的部分侧壁，被隔离层暴露的鳍部作为有效鳍部，第一区的有效鳍部高度大于第二区的有效鳍部高度；第一栅介质层，位于第二区的有效鳍部上；第二栅介质层，位于第一区的有效鳍部上，第二栅介质层的厚度小于第一栅介质层的厚度；栅极层，横跨有效鳍部且覆盖第一栅介质层和第二栅介质层，栅极层覆盖有效鳍部的部分顶部和部分侧壁。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。

本文源自金融界