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2025-08-16 0
2025年8月8日,上海芯上微装科技股份有限公司(AMIES)举办第500台步进光刻机交付仪式,标志着我国高端半导体装备产业迈上新台阶。这家成立仅半年的企业,以先进封装光刻机为核心产品,凭借高分辨率、高套刻精度及超大曝光视场等技术优势,已实现对盛合晶微等战略客户的稳定供应。与此同时,国内在极紫外(EUV)光源领域持续突破,哈尔滨工业大学研发的13.5纳米DPP光源技术能量转换效率提升50%,中科院上海光机所固体激光LPP-EUV光源性能接近商用水平,预计2025年第三季度启动原型机试产,推动国产光刻机向7nm及以下先进制程迈进。在全球半导体设备竞争加剧的背景下,国产设备商正通过封装与前道制造技术双线突破,逐步打破海外垄断格局。
一、重大技术突破,量产速度惊人
芯上微装:行业黑马:2025 年 8 月 8 日,上海芯上微装(AMIES)成功交付第 500 台步进光刻机给全球先进封测企业盛合晶微。这款设备具备高分辨率、高套刻精度及超大曝光视场,强力支持 Flip - chip、2.5D/3D 等先进封装技术。全球市占率高达 35%,国内更是占据 90%的市场份额!更令人惊叹的是,这家 2025 年 2 月才成立的公司,仅用半年就实现了规模化量产,速度之快,堪称行业传奇!
EUV 与 DUV 光源,核心技术大跨越:哈尔滨工业大学研发的 13.5nm 极紫外(EUV)光源技术(DPP 路线),能量转换效率提升 50%,设备体积缩小 40%,核心部件 100%国产化。2025 年 Q3 即将启动原型机试产,目标直指 2nm 制程!中科院上海光机所开发的固态 DUV 激光光源(193nm 波长),光谱纯度达到商用水平,可推进至 3nm 工艺,还大幅降低了对稀有气体的依赖。这两项技术突破,为国产光刻机的高端发展奠定了坚实基础!
28nm 整机突破,国产化里程碑:国产 28nm 光刻机全自主生产线完成测试,核心部件 100%国产化,良品率达 70% - 75%,2025 年内就会启动小批量交付;14nm 验证机也已进入实验室调试阶段。这标志着国产光刻机在中高端制程上迈出了关键一步!
二、产业链协同发力,国产化进程加速
核心部件技术突破:全面开花
光学系统方面,福晶科技提供光刻机核心光学元件,还与华为合作开发光通信组件;掩膜版领域,清溢光电、路维光电实现高精度掩膜版国产化;光刻胶方面,彤程新材 ArF 光刻胶通过客户验证,南大光电实现销售。各个环节的技术突破,让国产光刻机产业链更加完善!
国家大基金三期注册资本 3440 亿元,重点投向光刻机等卡脖子领域;深圳、辽宁等地出台专项政策,支持光刻机零部件研发与首台套设备应用。
三、市场格局变革,国产替代势不可挡
成本优势显著,国产替代加速:国产光刻机成本较进口设备降低 90%,上海微电子、芯碁微装等企业积极推动整机及直写光刻设备国产化。预计 2025 年国产芯片设备自给率达 50%,14nm 工艺实现全覆盖。国产光刻机正以绝对的优势,逐步替代进口设备!虽然中科大专家指出 5nm 以下光刻机需突破 EUV 光源、物镜系统等关键技术,整合效率有待提升,ASML CEO 也强调技术追赶仍需时间,但国产光刻机在先进封装、DUV 光源领域已实现规模化应用,EUV 光刻机和 28nm 前道光刻机进入关键突破期。我们有理由相信,国产光刻机必将攻克高端制程核心部件技术瓶颈,让我们一起静待花开!
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