国际商业机器公司申请用于堆叠和阶梯式FET的锁存器交叉耦合专利，公开一种具有特定结构的半导体

抖音快讯 2025年08月10日 17:52 1 admin

金融界2025年8月9日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“用于堆叠和阶梯式FET的锁存器交叉耦合”的专利，公开号CN120457535A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，公开了一种半导体结构，其具有包括第一器件层的第一场效应晶体管(FET)；包括第二器件层的第二FET，其中第一器件层相对于第二器件层具有阶梯部分；以及在第一器件层的阶梯部分处的第一FET的栅极与第二FET的栅极之间的电连接。第一FET堆叠在第二FET上。第二器件层大于第一器件层。第一FET的栅极位于具有阶梯部分的第一器件层上方。

本文源自金融界