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欣晖材料申请用于半导体结构的制备方法以及半导体结构专利,可形成电阻率彼此不同的层叠的多个沉积层

健康生活 2025年08月08日 23:31 1 admin

金融界2025年8月8日消息,国家知识产权局信息显示,重庆欣晖材料技术有限公司申请一项名为“用于半导体结构的制备方法以及半导体结构”的专利,公开号CN120443136A,申请日期为2025年04月。

欣晖材料申请用于半导体结构的制备方法以及半导体结构专利,可形成电阻率彼此不同的层叠的多个沉积层

专利摘要显示,本公开提供了用于半导体结构的制备方法以及半导体结构;所述制备方法包括:形成电阻率彼此不同的层叠的多个沉积层;对所述多个沉积层进行分离,以得到相应的多个半导体结构。

天眼查资料显示,重庆欣晖材料技术有限公司,成立于2022年,位于重庆市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1746.571万人民币。通过天眼查大数据分析,重庆欣晖材料技术有限公司参与招投标项目36次,财产线索方面有商标信息6条,专利信息30条,此外企业还拥有行政许可20个。

本文源自金融界

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