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苏州山芝半导体申请单模激光器的纳米级侧向耦合光栅制备方法专利,不牺牲半导体激光器的结构

抖音快讯 2025年08月08日 22:09 1 admin

金融界2025年8月8日消息,国家知识产权局信息显示,苏州山芝半导体科技有限公司申请一项名为“单模激光器的纳米级侧向耦合光栅的制备方法”的专利,公开号CN120447117A,申请日期为2025年03月。

苏州山芝半导体申请单模激光器的纳米级侧向耦合光栅制备方法专利,不牺牲半导体激光器的结构

专利摘要显示,本发明的目的在于提供一种单模激光器的纳米级侧向耦合光栅的制备方法,包括如下步骤,在形成脊型波导后,去胶清洗、EBL光刻、ICP刻蚀GaAs和介质填充。

天眼查资料显示,苏州山芝半导体科技有限公司,成立于2024年,位于苏州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300万人民币。通过天眼查大数据分析,苏州山芝半导体科技有限公司专利信息2条,此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自金融界

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