浙江晶越半导体申请大尺寸碳化硅单晶生长装置及制备方法专利，稳定原料区的温场分布

健康生活 2025年08月06日 12:01 1 admin

金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，浙江晶越半导体有限公司申请一项名为“一种大尺寸碳化硅单晶的生长装置及碳化硅单晶制备方法”的专利，公开号CN120425457A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本发明属于碳化硅单晶材料技术领域，尤其涉及一种大尺寸碳化硅单晶的生长装置及碳化硅单晶制备方法，所述大尺寸碳化硅单晶的生长装置的粉料区内设置有多孔石墨筒，所述多孔石墨筒沿粉料区的边缘向中心方向阶梯式分布，且高度从边缘向中心逐级递增；所述粉料区的顶部设置有多层层叠排列的石墨孔板，所述多孔石墨筒的上端部与对应层石墨孔板的上表面平齐，且所述多孔石墨筒贯穿所述石墨孔板，从而形成从粉料区至长晶区的连续气相传输通道。本申请通过在碳化硅原料区按阶梯式设置若干多孔石墨筒，稳定原料区的温场分布，优化气相布局，并且过滤气相组分中的杂质，改善晶体中的微管、包裹物和位错等缺陷。

天眼查资料显示，浙江晶越半导体有限公司，成立于2020年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20396.6571万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江晶越半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息47条，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可6个。

本文源自金融界