中微半导体申请用于I/O漏电高精度动态补偿方法与电路专利，实现数字、模拟在同一I/O口的功能复用

热门资讯 2025年08月06日 09:59 2 admin

金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体（深圳）股份有限公司申请一项名为“一种用于I/O漏电的高精度动态补偿方法与电路”的专利，公开号CN120428621A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明公开了一种用于I/O漏电的高精度动态补偿方法与电路，该方法包括：通过I/O电压检测模块实时监测I/O口电压，I/O漏电采样模块精准采样漏电电流，经漏电监测电阻网络、漏电监测及电压转电流发生器等模块处理，由漏电电流方向判断检测器确定漏电方向，最后I/O漏电动态补偿模块输出适配电流补偿漏电。还可通过特定模型公式调整参数，实现对不同情况漏电的精确补偿，能有效解决I/O漏电方向检测、动态监测与补偿等问题，实现数字、模拟在同一I/O口的功能复用，提升对I/O漏电敏感的模拟电路性能，具有高精度、动态补偿的优势。

天眼查资料显示，中微半导体（深圳）股份有限公司，成立于2001年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本40036.5万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体（深圳）股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目74次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息59条，此外企业还拥有行政许可12个。

本文源自金融界