华虹半导体取得改善嵌入式闪存结构中层间介质层填充后轮廓方法专利

游戏天地 2025年08月05日 18:33 2 admin

金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司取得一项名为“改善嵌入式闪存结构中层间介质层填充后轮廓的方法”的专利，授权公告号CN114121789B，申请日期为2021年11月。

天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2936次，专利信息1727条，此外企业还拥有行政许可117个。

本文源自金融界