伊诺菲科技申请基于掺杂氮化铝薄膜的耐高温非易失性存储单元相关专利，为突破传统非易失性存储器件温度限制提供解决方案

健康生活 2025年08月04日 22:07 2 admin

金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，伊诺菲（苏州）科技有限公司申请一项名为“一种基于掺杂氮化铝薄膜的耐高温非易失性存储单元及其制备方法及应用”的专利，公开号CN120417747A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于掺杂氮化铝(AlN)薄膜的耐高温非易失性存储单元及其制备方法与应用，属于半导体存储技术领域。该存储器件以掺杂AlN薄膜为核心功能层，通过其宽禁带特性与高热导率，在高温环境下实现稳定的电阻开关行为，同时兼具低操作电压，高耐久性，快速切换速度及纳米级单元尺寸。本发明为突破传统非易失性存储器件的温度限制提供了一种解决方案，同时通过纳米级单元设计与3D堆叠架构，为高密度耐高温存储器的开发开辟了新方向。此外，此种基于掺杂AlN薄膜的存储单元的高温兼容性可以减少散热系统依赖，直接集成于高温芯片，从而小器件尺寸、提高单位面积存储密度，使存储系统在极端环境下的集成度与可靠性提升至更高水平。

天眼查资料显示，伊诺菲（苏州）科技有限公司，成立于2024年，位于苏州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本50万人民币。通过天眼查大数据分析，伊诺菲（苏州）科技有限公司专利信息5条。

本文源自金融界