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华虹宏力申请集成无源器件结构及其制作方法专利,实现工艺简化

热门资讯 2025年08月04日 22:06 1 admin

金融界2025年8月4日消息,国家知识产权局信息显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“集成无源器件结构及其制作方法”的专利,公开号CN120417467A,申请日期为2025年04月。

华虹宏力申请集成无源器件结构及其制作方法专利,实现工艺简化

专利摘要显示,本发明提供一种集成无源器件结构及其制作方法,在薄膜电阻上形成阻挡层,在接触通孔的刻蚀过程中,利用阻挡层与介质层的高刻蚀选择比,以阻挡层作为刻蚀阻挡层,同步形成连接MIM电容器的第一接触通孔和连接薄膜电阻的第二接触通孔,从而实现不同高度上MIM电容器和薄膜电阻的接触通孔的同步刻蚀,减少一层光罩,实现了工艺的简化,提升了工艺窗口,降低了生产成本。

天眼查资料显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司,成立于2013年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标项目911次,财产线索方面有商标信息39条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可431个。

本文源自金融界

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